AgInP2S6晶体

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产品参数	材料性质参考文献： 1, https://doi.org/10.1039/C7RA13519J Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach 2, https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956 Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals
性状	材料名称 Name AgInP2S6 性质分类 Electrical properties 半导体，非线性材料，铁电材料 Semiconductor，Nonlinear Material，Ferroelectrics Material 禁带宽度 Bangap 1.147 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy
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